日本NOISEKEN分析微電子器件靜電防護（hù）設計

　　微電子（zǐ）器件靜電防護（hù）設計方法是指電路設計者在設計過程中為降低電子器件與設備防護靜電危害（hài）所應用的方（fāng）法。電路保護涉及（jí）到與抗靜電放電幹擾相關的很多因素，如過（guò）程變量、布局考慮（lǜ）、幾（jǐ）何形狀和空間（jiān）、包裝、測試和容（róng）錯等。

　　保護網絡有時同保護裝置（zhì）的其他部件都安裝在集成電路的表麵。這種（zhǒng）保護網絡通常旨在降低敏感節點上的電壓或電流瞬（shùn）變。不（bú）同的防護網絡已經用於保護各種敏（mǐn）感的電子器（qì）件。這些電路防護網（wǎng）絡為（wéi）器（qì）件提供了防ESD危害的有效保護。

　　由於（yú）防（fáng）護電路提供的保護受大電壓和小脈（mò）衝寬度（dù）的製（zhì）約。超過這些極限的ESD會使元器件受到損壞，或者使防護電路本身受到損壞。這是因（yīn）為，後者通常（cháng）也（yě）是由在一定程度（dù）上或多或少的敏感元器件組成的。防（fáng）護電路的損壞能引起元器件性能退化或使ESDS元器件對後（hòu）續ESD更加敏感。器件性能退化可能是ESDS元器件速度特性的變化或漏電流的增加（jiā）。當ESD電壓低於器件敏感度（dù）電壓時，防護電路的損傷可能是不明顯的（de），但是（shì）多次ESD作用能使元器件或防護電路性能退化或引起失效。另外，同一類型的ESDS元器件的敏感度因製造廠家的不同和同一製造廠家的批次不（bú）同而不同。同（tóng）樣，防護電路的設計和有效性也因製造廠家的不同而有所變化。

　　在鋁（lǚ）金屬化層和擴散區之間的基礎層（céng）在決定輸入結構的ESD敏感度水平方（fāng）麵起重要作用。研究標明，在瞬變電壓條件下對於金屬（shǔ）化層的失效來說，主要的參（cān）數（shù）是電流密度和電（diàn）壓脈衝的周期。例如90°轉彎會引起轉角內非均勻的電（diàn）流分布。因此在防護（hù）網絡中（zhōng）的金屬化層（céng）避免90°轉角是有益的。由於在氧化物台階處的金屬化層可能比其他位置上的更薄，因此在進行用於ESD防護網（wǎng）絡中的金屬化層的線寬設計時（shí），應注意考慮這些位置處金屬化層厚度減（jiǎn）小的影響。