
一直以來,設計中的(de)電磁幹擾(EMI)問題十分令人頭疼,尤其是在汽車領域。為了盡可能(néng)的減小電磁幹擾,設計人員通常會(huì)在設計原理圖和繪製布局時,通過降低高di / dt的環路麵積以及開關轉換速率來減小噪聲源。
但是,有(yǒu)時無論布局和原理圖的設(shè)計多麽謹慎,仍然無法將傳導EMI降低到所需的水平。這是(shì)因為噪聲不僅取(qǔ)決(jué)於電路寄生參(cān)數,還與電流強(qiáng)度有關(guān)。另外,開關打開和關閉的動作會(huì)產生不連(lián)續的電流,這些(xiē)不連續電流(liú)會在輸入電容上(shàng)產生電壓紋波,從而增加EMI。
因此,有必要采用(yòng)一些其他方(fāng)法來提高傳導EMI的性(xìng)能。本文主要討論的是引入(rù)輸入濾波器來濾除噪聲,或增加屏蔽罩來鎖住噪聲(shēng)。

圖1 EMI濾波器示意簡圖
圖1是一個簡化的EMI濾波器,包括共(gòng)模(CM)濾波器和(hé)差模(DM)濾波器。 通常,DM濾波器主要用於濾除小於30MHz的噪聲(DM噪聲),CM濾波器主要用於濾除30MHz至100MHz的噪聲(CM噪(zào)聲)。 但(dàn)其實這兩個(gè)濾波器對於整個頻段的EMI噪聲都(dōu)有一定的抑製作用。
圖2顯示(shì)了一個不帶濾(lǜ)波器的(de)輸(shū)入引線噪聲,包括正向噪聲和負向噪聲,並標(biāo)注了這些噪聲的峰(fēng)值水平和平均水平(píng)。 其中,該被測係統主要采用芯片LMR14050SSQDDARQ1輸出5V/5A,並給後續芯片TPS65263QRHBRQ1供電,同時輸出1.5V/3A,3.3V/2A以及1.8V/2A。 這兩個芯片都工作在2.2MHz的開關頻率下。 另外,圖中顯示的傳(chuán)導EMI標準是CISPR25 Class 5(C5)。有關該係統的更多信息(xī),請查閱應用筆記(jì)SNVA810。

圖2 C5標準下的噪聲特性(無濾波器)
圖3顯示了增加(jiā)一個DM濾波器後的EMI結果(guǒ)。 從圖中可以看出,DM濾波器衰減了中頻段DM噪聲(2MHz至30MHz)近(jìn)35dBμV/ m。此外高頻段噪聲(shēng)(30MHz至100MHz)也有所降低,但仍超過限製水平。這主要是因為DM濾波器對於高頻段CM噪聲的濾除能(néng)力有限。

圖3 C5標準下的噪聲特性(帶DM濾波器)
圖4顯示了增加CM和DM濾波器(qì)後的噪聲特性(xìng)。 與圖(tú)3相比,CM濾波器的增加降低了近20dBμV/ m的CM噪聲。 並且EMI性能也通(tōng)過了(le)CISPR25 C5標準。

圖4 C5標準(zhǔn)下的噪聲特性(帶CM和DM濾(lǜ)波器)
圖5顯示了不同布(bù)局下帶(dài)CM和DM濾波(bō)器的噪聲特性,其中(zhōng)濾波(bō)器與圖4相同(tóng)。但與圖4相比,整個頻段的噪聲增加了大約10dBμV/ m,高頻噪聲甚至還(hái)超出CISPR25 C5標準的平均值。

圖5 C5標準下的噪聲特性(xìng)(帶CM和DM濾波器(qì),不同布局)
圖4和圖5之間噪聲結果的不同主(zhǔ)要是由(yóu)於PCB布線差異所致,如圖6所示。圖5的(de)布(bù)線中(圖6的右側),大麵積覆銅(GND)包圍著DM濾波器,並和Vin走線形成了一(yī)些(xiē)寄生電容。 這些寄生電容為高頻信號旁路濾波器提供了有效的(de)低阻抗路徑。 因此(cǐ),為了最大限度地提高(gāo)濾波器的性能,需要(yào)移(yí)除濾波器周圍所有的覆銅,如圖(tú)6左側的布線。

圖6 不同的(de)PCB布線
除了增加濾波(bō)器外,另一(yī)種優化EMI性能的有效方法是增加(jiā)屏蔽罩。 這是因為連接著GND的金屬屏蔽罩可以阻(zǔ)止噪聲向外(wài)輻射。 圖7推薦了一種屏蔽罩的擺放方法(fǎ)。該屏蔽罩恰好覆蓋了板上所(suǒ)有的元器件。
圖8顯示了增(zēng)加濾波器和(hé)屏蔽罩之後的EMI結果。 如圖所示,整個頻段的噪聲幾乎都被屏蔽罩消除,EMI性能非常好。 這主要是(shì)因為等效為天線的長輸入引線會耦合大(dà)量輻射噪聲,而屏蔽罩恰好(hǎo)隔絕了(le)它們。在本設計中,中頻噪聲也會采用這種方式耦合(hé)到輸入引線上。

圖7 帶屏蔽罩的PCB 3D模型

圖8 C5標(biāo)準(zhǔn)下的噪聲特(tè)性(帶CM,DM濾波器以及屏蔽罩)
圖9也顯示了帶濾波器和屏蔽罩的噪聲特性。與圖8 不同的是,圖9中屏(píng)蔽罩是一個金屬盒,它(tā)包(bāo)裹了整個電路板,且隻有(yǒu)輸入引線裸露在外麵。 雖然有了這個屏(píng)蔽罩,但一些輻射噪聲仍然可以繞過EMI濾波器並耦合到PCB上的電源線,這將會導致比圖8更差的噪聲特性(xìng)。有趣(qù)的是(shì),圖4,圖8和圖9中(zhōng)(相同的布局布線)高頻(pín)帶的噪聲特(tè)性幾乎相同。 這是因為在增加EMI濾波器後(hòu),能耦合到輸入線上的高頻段輻射噪聲幾乎已經不存在了。

圖9 C5標準下的噪聲特性(帶CM,DM濾波器以(yǐ)及(jí)屏蔽金屬盒)
綜合來說,增加EMI濾波器或者(zhě)屏蔽罩都能有效(xiào)的(de)改善EMI性(xìng)能。但是與此同時(shí),濾波器的布局布線以及屏蔽罩的擺放(fàng)位置(zhì)需要仔細斟酌。
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