靜電放電的三種模式

靜電放電的（de）三種模式：

靜電對電（diàn）子產品的損害有多種形式，其中最常見、危害最大的是靜電放電（ESD）。帶靜電的物體與元器件有電接觸時，靜電會轉移到元器件上或通過元器件放電；或者元器件（jiàn）本身帶電，通過（guò）其它（tā）物體放電。這兩種過程都可能損傷元器（qì）件，損傷的程度與（yǔ）靜電放電的有關。實際過程中靜電的（de）來源有（yǒu）很多（duō），放電的形式也有多種。但通過對靜電的（de）主要來源以（yǐ）及實際發生的（de）靜電放（fàng）電過程（chéng）的研究認為，對元器件造成損傷的主要是三種模式，即帶點人體（tǐ）的靜電放電模（mó）式、帶電機器的放電模式和充電器件（jiàn）的（de）放電模式。 

1.帶（dài）電的人體的放電模式(HBM)

由於人體會與各種物體（tǐ）間發生接（jiē）觸和磨擦，又與元器件接觸，所以人體易帶靜電，也容易對元器件造（zào）成靜電損傷。普遍認為大部分元器（qì）件靜電損傷是由人體（tǐ）靜電造成的。帶靜電的人體可以等效為等效電路，這個（gè）等效電路又稱人體靜電放電模（mó）型（Human Body Model）。其中，Vp帶靜電的人體與（yǔ）地的電位差，Cp帶靜電的人體與地之間的電容（róng）量，一般為50-250pF；Rp人體與被放電體之間的電阻值，一般為（wéi）102-105Ω。

人體與被放電體之（zhī）間的放電有兩種。即接觸放電和電弧放電。接觸放電時人體與被放（fàng）電（diàn）之間（jiān）的電（diàn）阻值是個恒定值。電（diàn）弧放電是在人體與被放電體之（zhī）間有一定距（jù）離（lí）時，它（tā）們之間空間的電場強度大於其介質（如空氣）的介電強度，介質電離產生電弧放（fàng）電，暗場中可見弧光。電弧放電的特點是在放電（diàn）的初（chū）始階段，因為空氣是**導（dǎo）體，放電通道（dào）的阻抗較高，放電電流較小；隨著放（fàng）電的（de）進行（háng），通道溫（wēn）度升高，引起局部電離，通道阻抗逐漸降低，電流增大，直（zhí）至達到一個峰值；然後，隨著人體靜電能量的釋放，電流逐漸減少，直至（zhì）電弧消失（shī）。

2.帶電機器的放電模式（MM）

機器因為摩擦（cā）或感應也會帶電。帶電機器通過電子元器件放電也會造成損傷。機器放電的模型（Machine Model）。與人體模式相比，機器沒有電（diàn）阻，電（diàn）容則相對要大。 

3.充電器件的放電模型（CDM）

在元器件裝配、傳遞、試驗、測試、運輸和儲存的過程中由於殼體與其它材料磨擦，殼（ké）體會帶靜電。一旦元器件引出（chū）腿接地時，殼體將通過芯體和引出腿對地放電。這種形（xíng）式的（de）放電可用所謂帶電器件模型(Charged-Device Model，CDM)來描述。下麵以雙極型和MOS型半導體器（qì）件（jiàn）為例給出靜（jìng）電放電的等效電路。雙極型器件的CDM等效電路，Cd為器件與周圍物體及地之間的電容，Ld為器件導電（diàn）網絡的等效電感，Rd為芯片上放電電流通路的等效電阻。串聯（lián）著的Rd、Cd和Ld等（děng）效於（yú）帶電器件。開關S合上（shàng）表示器件與地的放電（diàn）接觸，接觸電阻為Rc。　

MOS器件的CDM等效電路。由於MOS器件（jiàn）各（gè）個（gè）管腿的放電時間長短相（xiàng）差（chà）很大，所以要用不同的放電通路（lù）來模擬，每（měi）條放電通路都用其等效電容、電阻和電感來表示。當開關S閉合而（ér）且有任一個管腿接地時，各（gè）通（tōng）路存儲的電荷將要放電。若在（zài）放電過程中，各（gè）個通路的放電特性不（bú）同，就會引起相互間的電勢（shì）差。這一電勢差也會造成器件的（de）損壞，如柵介質擊穿等。

器件放電等效電容Cd的大小和器件與周圍物體之間的位置及（jí）取向有關，有相關的（de）表格給出了雙列直插封裝器件在不同取向時的等效電容值，可見管殼的取向不同（tóng），電容可相差十幾倍，因而其靜電放電閾值可以（yǐ）有顯著差別（bié）。